SQ4182EY-T1_BE3
Výrobca Číslo produktu:

SQ4182EY-T1_BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQ4182EY-T1_BE3-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 32A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

8183 Ks Nové Originálne Na Sklade
12939454
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQ4182EY-T1_BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5400 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
7.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SQ4182

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
742-SQ4182EY-T1_BE3TR
742-SQ4182EY-T1_BE3CT
742-SQ4182EY-T1_BE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
microchip-technology

APT40M35JVR

MOSFET N-CH 400V 93A SOT227

vishay-siliconix

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3

vishay-siliconix

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

vishay-siliconix

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC