SQ9407EY-T1_BE3
Výrobca Číslo produktu:

SQ9407EY-T1_BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQ9407EY-T1_BE3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

12512 Ks Nové Originálne Na Sklade
12939395
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQ9407EY-T1_BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1140 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SQ9407

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
742-SQ9407EY-T1_BE3TR
742-SQ9407EY-T1_BE3DKR
742-SQ9407EY-T1_BE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFBC20PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

IRF740APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB