SQD70140EL_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQD70140EL_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQD70140EL_GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

7504 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915855
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQD70140EL_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
71W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SQD70140

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SQD70140EL_GE3CT
SQD70140EL_GE3-DG
SQD70140EL_GE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI3445ADV-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP

littelfuse

IXTY02N50D

MOSFET N-CH 500V 200MA TO252

vishay-siliconix

SI4896DY-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO

vishay-siliconix

SQD10950E_GE3

MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA