SQJ170ELP-T1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJ170ELP-T1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ170ELP-T1_GE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 63A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

3664 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977800
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJ170ELP-T1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
63A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1165 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
SQJ170ELP

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ170ELP-T1_GE3TR
742-SQJ170ELP-T1_GE3CT
742-SQJ170ELP-T1_GE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJ415EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2338DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3460BDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET