SQJ174EP-T1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJ174EP-T1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ174EP-T1_GE3-DG

Popis:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 293A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

14945 Ks Nové Originálne Na Sklade
12993137
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJ174EP-T1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
293A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6111 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ174EP-T1_GE3CT
742-SQJ174EP-T1_GE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHB5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

panjit

PJA138K_R1_00001

SOT-23, MOSFET