Výrobca Číslo produktu:
SQJ402EP-T1_BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ402EP-T1_BE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
6949 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977756
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ402EP-T1_BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2286 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ402EP-T1_BE3DKR
742-SQJ402EP-T1_BE3TR
742-SQJ402EP-T1_BE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIDR220DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
SIHP35N60E-BE3
N-CHANNEL 600V
SQJ420EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
