SQJ402EP-T1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJ402EP-T1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ402EP-T1_GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

10929 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918491
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJ402EP-T1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2289 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SQJ402

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJ402EP-T1_GE3DKR
SQJ402EP-T1_GE3CT
SQJ402EP-T1_GE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI4324DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 36A 8SO

vishay-siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SUM70N03-09CP-E3

MOSFET N-CH 30V 70A TO263

vishay-siliconix

SI7860ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8