SQJ407EP-T1_BE3

Výrobca Číslo produktu:

SQJ407EP-T1_BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ407EP-T1_BE3-DG

Popis:

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

5950 Ks Nové Originálne Na Sklade

12977821

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

SQJ407EP-T1_BE3 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

TrenchFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

60A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

260 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

10700 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

68W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Trieda

Automotive

Kvalifikácia

AEC-Q101

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

PowerPAK® SO-8

Balenie / puzdro

PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

742-SQJ407EP-T1_BE3CT

742-SQJ407EP-T1_BE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SQJ461EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI3459BDV-T1-BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2371EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET