SQJ407EP-T1_BE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJ407EP-T1_BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ407EP-T1_BE3-DG

Popis:

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

5950 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977821
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJ407EP-T1_BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ407EP-T1_BE3CT
742-SQJ407EP-T1_BE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJ461EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI3459BDV-T1-BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2371EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET