Výrobca Číslo produktu:
SQJ422EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ422EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
4849 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916697
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ422EP-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
74A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5000 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SQJ422
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJ422EP-T1-GE3-DG
SQJ422EP-T1_GE3DKR
SQJ422EP-T1_GE3-DG
SQJ422EP-T1_GE3CT
SQJ422EP-T1_GE3TR
SQJ422EP-T1-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHD2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
PSMN2R4-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
SI3445ADV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP
