Výrobca Číslo produktu:
SQJ433EP-T1_BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ433EP-T1_BE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 75A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
5997 Ks Nové Originálne Na Sklade
12999562
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ433EP-T1_BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4877 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ433EP-T1_BE3TR
742-SQJ433EP-T1_BE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NP32N055SDE-E1-AZ
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
SIHB28N60EF-T1-GE3
N-CHANNEL 600V
G450P04K
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
