Výrobca Číslo produktu:
SQJ460AEP-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ460AEP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
2333 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786250
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ460AEP-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4795 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SQJ460
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJ460AEP-T1-GE3
SQJ460AEP-T1_GE3TR
SQJ460AEP-T1_GE3CT
SQJ460AEP-T1_GE3DKR
SQJ460AEP-T1_GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
SQ7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
SIR424DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
