SQJ474EP-T1_BE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJ474EP-T1_BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJ474EP-T1_BE3-DG

Popis:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

6000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977879
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJ474EP-T1_BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
SQJ474EP

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ474EP-T1_BE3DKR
742-SQJ474EP-T1_BE3TR
742-SQJ474EP-T1_BE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI3443CDV-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

diodes

DMN2710UTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

vishay-siliconix

SI2343DS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2308BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET