Výrobca Číslo produktu:
SQJ476EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ476EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
1656 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920092
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ476EP-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
38mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SQJ476
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJ476EP-T1_GE3DKR
SQJ476EP-T1_GE3CT
SQJ476EP-T1_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQJ476EP-T1_BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2862
ČÍSLO DIELU
SQJ476EP-T1_BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
SIHS90N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
SI4774DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
