Výrobca Číslo produktu:
SQJ960EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ960EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventár:
4430 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917772
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ960EP-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
735pF @ 25V
Výkon - Max
34W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8 Dual
Základné číslo produktu
SQJ960
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1_GE3DKR
SQJ960EP-T1-GE3-DG
SQJ960EP-T1_GE3CT
SQJ960EP-T1_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
SIA915DJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A SC70-6
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
