SQJA84EP-T1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQJA84EP-T1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQJA84EP-T1_GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

13159 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917689
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQJA84EP-T1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
46A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SQJA84

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQJA84EP-T1_GE3CT
SQJA84EP-T1_GE3TR
SQJA84EP-T1_GE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP

vishay-siliconix

SI2343DS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

nexperia

PMPB20EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6