Výrobca Číslo produktu:
SQJQ906E-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJQ906E-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 95A (Tc) 50W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Inventár:
1722 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786583
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJQ906E-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
95A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600pF @ 20V
Výkon - Max
50W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Základné číslo produktu
SQJQ906
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SQJQ906E-T1_GE3DKR
SQJQ906E-T1_GE3-DG
SQJQ906E-T1_GE3TR
SQJQ906E-T1_GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7909DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIZ914DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
