Výrobca Číslo produktu:
SQM200N04-1M7L_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventár:
12786121
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQM200N04-1M7L_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
291 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11168 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263-7
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základné číslo produktu
SQM200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB160N04S4LH1ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1895
ČÍSLO DIELU
IPB160N04S4LH1ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
SUD45P03-10-E3
MOSFET P-CH 30V TO252
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK