Výrobca Číslo produktu:
SQM40016EM_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQM40016EM_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 250A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventár:
12966561
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQM40016EM_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263-7
Balenie / puzdro
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Základné číslo produktu
SQM40016
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
SQM40016EM_GE3DKR
SQM40016EM_GE3CT
SQM40016EM_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB011N04NGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3890
ČÍSLO DIELU
IPB011N04NGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB011N04LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2493
ČÍSLO DIELU
IPB011N04LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJA3401_R1_00001
SOT-23, MOSFET
IPW65R018CFD7XKSA1
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
TPH3R704PC,LQ
MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
