SQM50N04-4M1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQM50N04-4M1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQM50N04-4M1_GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 50A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

12919287
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQM50N04-4M1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6715 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SQM50

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
SQM50N04-4M1_GE3-DG
SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1_GE3CT
SQM50N04-4M1-GE3-DG
SQM50N04-4M1_GE3TR
SQM50N04-4M1_GE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
BUK964R4-40B,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7464
ČÍSLO DIELU
BUK964R4-40B,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB170NF04
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
488
ČÍSLO DIELU
STB170NF04-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF1404STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1786
ČÍSLO DIELU
IRF1404STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.01
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S4L04ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
681
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S4L04ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.91
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S404ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2000
ČÍSLO DIELU
IPB80N04S404ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nexperia

BUK7Y3R5-40E,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

vishay-siliconix

SQM10250E_GE3

MOSFET N-CH 250V 65A TO263

vishay-siliconix

SIR890DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB