Výrobca Číslo produktu:
SQS484EN-T1_BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQS484EN-T1_BE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
10623 Ks Nové Originálne Na Sklade
12939480
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQS484EN-T1_BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1855 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SQS484
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQS484EN-T1_BE3CT
742-SQS484EN-T1_BE3DKR
742-SQS484EN-T1_BE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQS484CENW-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2100
ČÍSLO DIELU
SQS484CENW-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SQS484EN-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12882
ČÍSLO DIELU
SQS484EN-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD35N10-26P-BE3
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
RSS090N03FRATB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SIHD14N60E-BE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
