SQSA70CENW-T1_GE3
Výrobca Číslo produktu:

SQSA70CENW-T1_GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SQSA70CENW-T1_GE3-DG

Popis:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

Inventár:

31663 Ks Nové Originálne Na Sklade
12959051
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SQSA70CENW-T1_GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
68.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
540 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8W
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8W

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQSA70CENW-T1_GE3TR
742-SQSA70CENW-T1_GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPA082N10NF2SXKSA1

TRENCH >=100V PG-TO220-3

stmicroelectronics

STO65N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4

infineon-technologies

IPTG111N20NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

vishay-siliconix

SIR450DP-T1-RE3

N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE