Výrobca Číslo produktu:
SUD23N06-31-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD23N06-31-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 21.4A (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
8152 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786840
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD23N06-31-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
31mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
670 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD23
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SUD23N0631GE3
SUD23N06-31-GE3DKR
SUD23N06-31-GE3TR
SUD23N06-31-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR474DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SUM90N04-3M3P-E3
MOSFET N-CH 40V 90A TO263
