Výrobca Číslo produktu:
SUD35N10-26P-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD35N10-26P-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
310 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786303
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD35N10-26P-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD35
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SUD35N10-26P-E3DKR
SUD35N10-26P-E3CT
SUD35N10-26P-E3TR
SUD35N10-26P-E3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFR540ZTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31805
ČÍSLO DIELU
IRFR540ZTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD3672
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25573
ČÍSLO DIELU
FDD3672-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD86102LZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20852
ČÍSLO DIELU
FDD86102LZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD86102
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9890
ČÍSLO DIELU
FDD86102-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD35N10S3L26ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2802
ČÍSLO DIELU
IPD35N10S3L26ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISA34DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
SIHW30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
SISS65DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
