Výrobca Číslo produktu:
SUD40N10-25-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD40N10-25-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
10340 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920732
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD40N10-25-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD40
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SUD40N10-25-E3-DG
SUD40N1025E3
SUD40N10-25-E3TR
SUD40N10-25-E3DKR
Q7456473B
SUD40N10-25-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
SQ4410EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
