Výrobca Číslo produktu:
SUD45P04-16P-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD45P04-16P-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252AA
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12915955
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD45P04-16P-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2765 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD45
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ481EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
