SUD50N02-09P-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SUD50N02-09P-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUD50N02-09P-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 20A (Ta) 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventár:

Online RFQ
12786289
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUD50N02-09P-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
39.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SUD45P03-09-GE3

MOSFET P-CH 30V 45A TO252

vishay-siliconix

SISA66DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ403BEEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHA20N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220