SUD50N06-08H-E3
Výrobca Číslo produktu:

SUD50N06-08H-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUD50N06-08H-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 93A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

12917394
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUD50N06-08H-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
93A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRLR3636TRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1281
ČÍSLO DIELU
IRLR3636TRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.75
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFR1018ETRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
25604
ČÍSLO DIELU
IRFR1018ETRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK6R7P06PL,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22356
ČÍSLO DIELU
TK6R7P06PL,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD70N6F3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2415
ČÍSLO DIELU
STD70N6F3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.80
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHG018N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

vishay-siliconix

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI2392DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

vishay-semi-diodes

VS-FC80NA20

MOSFET N-CH 200V 108A SOT227