Výrobca Číslo produktu:
SUD90330E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD90330E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12966157
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD90330E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
ThunderFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1172 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD90330
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SUD90330E-GE3DKR
SUD90330E-GE3TR
SUD90330E-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STO68N65DM6
N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
SIR514DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SQJA26EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
