Výrobca Číslo produktu:
SUM40N02-12P-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUM40N02-12P-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 40A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 40A (Tc) 3.75W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12916738
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUM40N02-12P-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SUM40
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4322DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SI4778DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
