SUM50010E-GE3

Výrobca Číslo produktu:

SUM50010E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUM50010E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 150A TO263

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

1428 Ks Nové Originálne Na Sklade

12916214

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

SUM50010E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Strip

Seriál

TrenchFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

150A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

7.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.75mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

212 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

10895 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

375W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

SUM50010

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

SUM50010E-GE3-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SQD40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

vishay-siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SI7464DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8