SUM50010E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SUM50010E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUM50010E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

1428 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916214
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUM50010E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Strip
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.75mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
212 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10895 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SUM50010

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQD40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

vishay-siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SI7464DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8