SUP50N10-21P-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SUP50N10-21P-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUP50N10-21P-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

12920772
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUP50N10-21P-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2055 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SUP50

Technické údaje a dokumenty

Výkresy produktov
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
NTP6412ANG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
114
ČÍSLO DIELU
NTP6412ANG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF3710ZPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1894
ČÍSLO DIELU
IRF3710ZPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF3710PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3201
ČÍSLO DIELU
IRF3710PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTP60N10T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21
ČÍSLO DIELU
IXTP60N10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP60NF10
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
980
ČÍSLO DIELU
STP60NF10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIR164ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK

vishay-siliconix

SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK

onsemi

2SJ661-1EX

MOSFET P-CH I2PAK

vishay-siliconix

SIHP22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB