SUP85N10-10P-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SUP85N10-10P-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUP85N10-10P-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12787171
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUP85N10-10P-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
85A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4660 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 227W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SUP85

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SUP85N10-10P-GE3-DG
Technické listy
SUP85N10-10P-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FDP100N10
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2970
ČÍSLO DIELU
FDP100N10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.72
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP100N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
88
ČÍSLO DIELU
STP100N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.11
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTP130N10T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP130N10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN009-100P,127
VÝROBCA
NXP Semiconductors
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
291
ČÍSLO DIELU
PSMN009-100P,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDP090N10
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12259
ČÍSLO DIELU
FDP090N10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.50
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQJA06EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

vishay-siliconix

SUD50P04-08-GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA