Výrobca Číslo produktu:
IRF610STRRPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF610STRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
13050437
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF610STRRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
140 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF610
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF610STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
677
ČÍSLO DIELU
IRF610STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF840ASTRR
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
