Výrobca Číslo produktu:
IRF740SPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF740SPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
1208 Ks Nové Originálne Na Sklade
13048628
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF740SPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF740
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF740SPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFBC40A
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRCZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-5
IRF9Z14LPBF
MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
