IRFD224
Výrobca Číslo produktu:

IRFD224

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFD224-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

13053325
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFD224 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
630mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
260 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD224

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
100
Iné mená
*IRFD224

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFD224PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2250
ČÍSLO DIELU
IRFD224PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay

IRF9640SPBF

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

vishay

IRFR9220PBF

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay

IRFR224TRR

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

vishay

IRLD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP