Výrobca Číslo produktu:
IRFL110PBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFL110PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
13051736
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFL110PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
IRFL110
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZVN4310GTA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4126
ČÍSLO DIELU
ZVN4310GTA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR214TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
IRF520STRR
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRFU120
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
