Výrobca Číslo produktu:
SI2303BDS-T1
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2303BDS-T1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 1.49A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
13056253
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2303BDS-T1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.49A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2303
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI2303CDS-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15853
ČÍSLO DIELU
SI2303CDS-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
AO3409
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5524
ČÍSLO DIELU
AO3409-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RRR015P03TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1880
ČÍSLO DIELU
RRR015P03TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
NTR4502PT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NTR4502PT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDN352AP
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12000
ČÍSLO DIELU
FDN352AP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4886DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SI2314EDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
SI5459DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK