Výrobca Číslo produktu:
SI7425DN-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7425DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 8.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
13058502
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7425DN-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 12.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7425
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7138DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
SI1069X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8