Výrobca Číslo produktu:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG73N60AE-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
13007874
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG73N60AE-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
417W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG73
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW69N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
485
ČÍSLO DIELU
STW69N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH041N60F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
365
ČÍSLO DIELU
FCH041N60F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
130
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPAFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
83
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPAFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.42
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB