Výrobca Číslo produktu:
SIHH14N65EF-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHH14N65EF-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13009932
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHH14N65EF-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
-
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
271mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1749 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 8 x 8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
SIHH14
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8