Výrobca Číslo produktu:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHW47N60EF-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventár:
13008260
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHW47N60EF-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4854 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
379W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHW47
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW56N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31
ČÍSLO DIELU
STW56N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.61
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH072N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
FCH072N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH070N60E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
473
ČÍSLO DIELU
FCH070N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
