Výrobca Číslo produktu:
SIR844DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR844DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
13059641
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR844DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3215 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR844
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR844DP-T1-GE3CT
SIR844DP-T1-GE3TR
SIR844DP-T1-GE3DKR
SIR844DPT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD16407Q5
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5527
ČÍSLO DIELU
CSD16407Q5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD16403Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15044
ČÍSLO DIELU
CSD16403Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
SI4038DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
