Výrobca Číslo produktu:
SIRS4302DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIRS4302DP-T1-GE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 6.9W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
11964 Ks Nové Originálne Na Sklade
13374108
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIRS4302DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
87A (Ta), 478A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.57mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10150 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.9W (Ta), 208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIRS4302
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SIRS4302DP-T1-GE3TR
742-SIRS4302DP-T1-GE3CT
742-SIRS4302DP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-