Výrobca Číslo produktu:
SISS4402DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SISS4402DN-T1-GE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 35.5A (Ta), 128A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventár:
11900 Ks Nové Originálne Na Sklade
13374278
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SISS4402DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35.5A (Ta), 128A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3850 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8S
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základné číslo produktu
SISS4402
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SISS4402DN-T1-GE3CT
742-SISS4402DN-T1-GE3DKR
742-SISS4402DN-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM10ND65CI
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM70N900CI
700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW