Výrobca Číslo produktu:
SQP25N15-52_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQP25N15-52_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
13061195
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQP25N15-52_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
52mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
107W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SQP25
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SQP25N15-52_GE3TR-ND
SQP25N15-52_GE3DKRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3CT-ND
SQP25N15-52_GE3TR
SQP25N15-52_GE3CT
SQP25N15-52_GE3TRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3DKR-ND
SQP25N15-52_GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
