C3M0045065J1
Výrobca Číslo produktu:

C3M0045065J1

Product Overview

Výrobca:

Wolfspeed, Inc.

Číslo dielu:

C3M0045065J1-DG

Popis:

650V 45 M SIC MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventár:

1475 Ks Nové Originálne Na Sklade
12972464
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
sbPM
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

C3M0045065J1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Wolfspeed
Balenie
Tube
Seriál
C3M™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.6V @ 4.84mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
61 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+19V, -8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1621 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
147W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263-7
Balenie / puzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
C3M0045065J1-DG
Technické listy
C3M0045065J1

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
1697-C3M0045065J1
-3312-C3M0045065J1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJC7403_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4413P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M