E3M0060065D

Výrobca Číslo produktu:

E3M0060065D

Product Overview

Výrobca:

Wolfspeed, Inc.

Číslo dielu:

E3M0060065D-DG

Popis:

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Podrobný popis:

N-Channel 650 V 37A (Tc) 131W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventár:

354 Ks Nové Originálne Na Sklade

12987842

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

E3M0060065D Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Wolfspeed

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

SiCFET (Silicon Carbide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

650 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

37A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

15V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

79mOhm @ 13.2A, 15V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3.6V @ 3.6mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

46 nC @ 15 V

Vgs (max.)

+19V, -8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1170 pF @ 600 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

131W (Tc)

Prevádzková teplota

-40°C ~ 175°C (TJ)

Trieda

Automotive

Kvalifikácia

AEC-Q101

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247-3

Balenie / puzdro

TO-247-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Iné mená

1697-E3M0060065D

-3312-E3M0060065D

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

3 (168 Hours)

Stav nariadenia REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IPP019N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

goford-semiconductor

GT700P08T

P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-

TK10P50W,RQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

toshiba-semiconductor-and-storage

TK110Z65Z,S1F

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4