Výrobca Číslo produktu:
AOB11S65L
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOB11S65L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12846307
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOB11S65L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
aMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
646 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
198W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
AOB11
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
785-1542-6
785-1542-2
785-1542-1
5202-AOB11S65LTR
AOB11S65L-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STB13NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R299CPAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3987
ČÍSLO DIELU
IPB60R299CPAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
