Výrobca Číslo produktu:
IPB60R299CPAATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB60R299CPAATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
3987 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803487
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB60R299CPAATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 440µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
96W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB60R299
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
INFINFIPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1-DG
SP000539970
2156-IPB60R299CPAATMA1
448-IPB60R299CPAATMA1TR
448-IPB60R299CPAATMA1DKR
448-IPB60R299CPAATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
