Výrobca Číslo produktu:
AOTF3N100
Product Overview
Výrobca:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dielu:
AOTF3N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventár:
12849636
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
AOTF3N100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
830 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
AOTF3
Technické údaje a dokumenty
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
5202-AOTF3N100
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FDB9409-F085
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FQB7N80TM_AM002
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
